本月中旬，ITF论坛在日本东京举行。在论坛上，比利时半导体研究机构IMEC与ASML合作开发光刻机，在微尺度级别上宣布了3nm及以下工艺的技术细节。至少到目前为止，ASML已经为3m，2nm，1.5nm，1nm甚至Sub1nm制定了清晰的路由计划，并且1nm时代的光刻机的体积将大大增加。据说，目前台积电和三星的7nm和5nm制造中已经引入了NA = 0.33的EUV曝光设备。 2nm之后，需要使用更高分辨率的曝光设备，即NA = 0.55。幸运的是，ASML已经完成了0.55NA曝光设备（即NXE：5000系列）的基本设计，并有望在2022年实现商业化。至于上述尺寸的大幅增加，是由于光学设备的增加，并且洁净室指数已达到上限。当前正在销售的两种极端紫外线光刻机是TWINSCANNXE：3400B和TWINSCANNXE：3400C。 3600D计划于明年年中发货，生产效率将提高18％。负责编辑AJX