光刻机（MaskAligner）也被称为：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩模对准光刻法，因此被称为MaskAlignmentSystem。一般的光刻工艺包括清洁和干燥硅晶片的表面，底部涂层，旋涂光刻胶，软烘烤，对准曝光，后烘烤，显影，硬烘烤，蚀刻和其他过程。光刻（lithography）是指利用光来形成图案（过程）。该过程是使硅晶片表面上的胶水流平，然后将掩模上的图案转移到光致抗蚀剂上，从而暂时“复制”该过程。将器件或电路结构移到硅晶片上的过程。光刻机通常根据操作的简便性分为手动，半自动和全自动三种。手动：是指调整对齐方式，即改变其X轴，Y轴和手动调节旋钮可调节角度。对中完成后，可以想到对中精度； B半自动：是指可以通过电轴根据CCD进行定位和调整的对齐方式； C自动：是指从基板上载和下载，曝光时间和曝光周期全部由程序控制，而自动光刻机主要满足工厂对处理量的需求。曝光系统的核心组件之一是紫外线光源。普通光源分为：可见光：g线：436nm紫外光（UV），i线：365nm深紫外光（DUV），KrF准分子激光：248nm，ArF准分子激光：193nm极紫外（EUV），10〜光源系统的15nm要求：具有适当的波长。波长越短，可以曝光的特征尺寸就越小； [波长越短，光刻的刀片越锋利，蚀刻的精度控制要求越高。 ] B.有足够的能量。能量越大，曝光时间越短； C。曝光能量必须均匀分布在曝光区域中。 [通常，使用光的均匀性或光的平行度的概念来测量光是否均匀分布]常用的紫外光源是高压弧光灯（高压水银灯），它具有许多尖锐的光谱线。过滤后使用g线（436nm）或i线（365nm）。对于波长较短的深紫外光源，可以使用准分子激光器。例如，KrF准分子激光器（248nm），ArF准分子激光器（193nm）和F2准分子激光器（157nm）。曝光系统的主要功能是：平滑衍射效果，实现均匀的照明，滤波和冷光处理，实现强光照明和光强调节等。光刻机的主要性能指标是：支持的尺寸范围基板，分辨率，对准精度，曝光方法，光源的波长，光强度的均匀性和生产效率。分辨率是对可以通过光刻处理实现的最佳线条精度的描述。光刻的分辨率受光源衍射的限制，因此受光源，光刻系统，光刻胶和工艺的限制。对准精度是在多层曝光期间层之间的图案的定位精度。曝光方法分为接触接近型，投影型和直接书写型。曝光光源的波长分为紫外线，深紫外线和极紫外线区域。光源包括水银灯，准分子激光器等。最后，我推荐用于紫外线光刻机的紫外线检测器。从国外进口的SiC紫外线光电二极管-SG01D-C18具有非常特殊的优势，可以承受高强度辐射，并且对可见光几乎不敏感。低暗电流和快速响应速度，这些特性使SiC成为可以抑制可见光的良好材料，从而制成了半导体紫外线检测器。 SiC检测器可以在高达170°C的温度下长时间工作，具有低温度系数（<0.1％/ K）和低噪声，并且可以有效地监测极低的辐射强度（需要相应的放大器）。