2017年之前，整个行业的资本支出总额不超过700亿美元。 2017年，三星豪赌内存，半导体支出猛增至242亿美元，带动内存制造商掀起又一轮投资狂潮，并最终带动2017年全球半导体支出.2016年，三星半导体创下了956亿美元的新高。 ，比2016年增加278亿美元。半导体设备制造商赚了很多钱。 1月4日，台湾媒体报道台积电将2021年的资本支出提高到200亿美元以上，有可能达到220亿美元。根据《日经亚洲评论》（Nikkei Asian Review），1月9日，三星电子将在2021年对半导体业务投资超过300亿美元。如果该计划最终得以实现，这将是台积电资本支出首次超过200亿美元，并且这也是三星电子首次在半导体上投资超过300亿美元，标志着半导体行业领导者的金弹爆炸上升到一个新的水平。 300亿美元的概念是什么？自21世纪初以来，两年来整个行业的资本支出分别在2002年和2009年不足300亿美元，而2003年整个行业的支出仅为313亿美元。您可能会说这些数据太旧了，但实际上，在2017年之前，整个行业的总资本支出没有超过700亿美元。 2017年，三星豪赌内存，其半导体支出飙升至242亿美元，带动了内存制造商的发展。它掀起了又一轮的投资狂潮，最终使全球半导体支出在2017年达到956亿美元的新高，比2016年增加278亿美元。半导体设备制造商赚了很多钱。另一组数据也非常有趣。从2017年到2019年，中国所有半导体制造商的资本支出为308亿美元。 2019年，中国半导体公司（包括外国公司）生产的芯片总价值为227亿美元。换句话说，三星一年的投资等于中国制造商三年投资的总和，一年内在中国生产的所有芯片的总销售额不足以使三星一年一年的资本支出。大基金第二阶段的总金额为290亿美元，不到300亿美元。三星和台积电的疯狂投资也可能使它们扩大与英特尔在制造工艺上的差距。首先让我们看一下三家公司在2019年的资本支出。三星是最高的，达到192亿美元，其次是英特尔，其资本支出为162亿美元，台积电第三，其资本支出为149亿美元。 2020年，三星在半导体上花费265亿美元，而台积电（TSMC）也花费了170亿美元。英特尔的数据尚未公布，但前三个季度都比2019年同期有所下降。前三个季度的总支出为103.92亿美元。毫不奇怪，2020年的全年资本支出应在150亿美元以内。在2017年之前，这三家公司的半导体支出大致相当。 2017年，三星开始冲刺，但三星的投资包括大量存储设备投资。在纯逻辑流程投资方面，三星和台积电的表现不及英特尔。但是，在过去的两年中，英特尔的流程开发遇到了困难。有报道称，英特尔将不时增加生产外包。如果真正增加外包比例，则表明英特尔在2021年的资本支出可能不到150亿美元。台积电的资本支出首次超过50亿美元。对于英特尔来说，这是一个非常危险的信号。先进技术的竞争一直是淘汰赛，一旦投资无法跟上，它将被市场淘汰。在130纳米制程节点上，全球有将近30个玩家，而在28纳米处仅剩下10个玩家。剩下的制造商放弃了先进的工艺研究，因为他们无法跟上如此高强度的投资节奏，在GlobalFoundries和UMC的陪同下宣布放弃先进技术的研发，现在只有四家制造商愿意投资于先进技术，分别是台积电，三星，英特尔和中芯国际。目前，主要基于IDM模型的英特尔在投资先进技术方面遇到了困难。台积电和中芯国际都是纯晶圆代工厂，其成本可以分摊给许多客户。除了三星的巨大内存产品