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恩智浦发布新的Gen8 + LDMOS射频功率晶体管

中国上海,2013年6月20日-NXP Semiconductors NV(Nasdaq:NXPI)最近宣布推出新的Gen8 + LDMOS RF功率晶体管,作为第八代无线基站,特别关注TD-LTE。LDMOS产品的扩展线。随着中国开始铺设全球最大的4G网络,Gen8 +的推出将巩固NXP的TD-LTE产品组合(目前最完整的TD-LTE LDMOS产品组合)的地位,并显着改善性能,灵活性和经济性。 BLC8G27LS-160AV是第一个即将发布的Gen8 +设备。对于有源天线室外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器,这是世界上最小,最经济的解决方案。该设备可同时支持多达5个TD-LTE载波,并提供覆盖整个频段(2.5至2.7 GHz)的高效率。 Gen8 +产品组合的突破性特征是采用空腔塑料(ACP)包装。与陶瓷封装相比,ACP更经济,更灵活,这意味着新产品将能够更快地满足客户需求。新的ACP封装还允许使用经过改进的无源组件,以通过降低功耗,增加增益和效率来改善性能。 Gen8 +还增加了许多其他包装选择,包括QFN,OMP和陶瓷包装。 Gen8 +产品组合最初是为2300-2700 MHz频率范围内的基站应用而设计的。作为现有恩智浦LDMOS产品系列的扩展,Gen8 +增加了从5瓦到240瓦不等的各个频段的功耗级别范围。 Gen8 +具有出色的性能和小巧的尺寸,这意味着它可以进一步节省成本。恩智浦基站功率放大器产品营销总监Christophe Cugge表示:“该产品组合针对支持TD-LTE网络,Gen8 +的发布以及全球最大的4G网络的无线基站进行了优化。躺在中国。我们提供最完整的此类RF电源产品,致力于使客户以最低的成本提供最优质的服务。 Gen8 + LDMOS技术利用了恩智浦在射频功率产品领域的丰富经验,以显着的低成本提供了空前的高性能,低功耗和高效率,从而发挥了竞争优势。我们还计划在不久的将来将其扩展到所有其他产品。标准基站应用。 & rdquo;上市时间合格的用户可以立即索取Gen8 + ACP产品的工程样品​​。 BLC8G27LS-160AV和其他Gen8 + LDMOS晶体管的样品将于2013年第三季度提供。恩智浦RF手册(第17版):http://www.nxp.com/rfmanual& middot; BLC8G27LS-160AV& ndash; Gen8 +陶瓷不对称Doherty LDMOS晶体管,用于2496 MHz至2690 MHz多频带应用:http://www.nxp.com/pip/BLC8G27LS-160AV关于NXP Semiconductors NXP Semiconductors NV(纳斯达克股票代码:NXPI)凭借领先的RF,模拟,电源管理,接口,安全性和数字处理专业知识,提供高性能混合信号(High Performance Mixed Signal)和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛用于汽车,智能识别,无线基础设施,照明,工业,移动,消费和计算领域。该公司在全球超过25个国家设有业务执行机构。 2011年,公司营业额达到42亿美元。有关恩智浦的更多信息,请访问公司的官方网站http://cn.nxp.com/。