EUV（极紫外光）光刻机是目前最先进的光刻机，已在半导体行业投入批量生产。最近，有很多新闻指出，EUV光刻机消耗很多功率，甚至已经成为困扰台积电的主要问题。为什么EUV光刻机要消耗这么多功率？ OFweek先生根据公共信息为读者整理了一些理由。参考。与DUV（深紫外）光刻机相比，EUV光刻机的吞吐量相对较低，每小时可曝光和处理的晶圆数量在120到175之间。技术改进后，速度可以提高。达到每小时275片。但是相对而言，EUV生产效率仍然更高，因为1层EUV晶圆通常可以代替3-4层DUV晶圆。据报道，晶圆制造中使用的主流光源是波长为193nm的氩氟激光，而极紫外光的波长仅为13.5nm，EUV光刻将其用作光源。 EUV的高功耗有几个主要原因：首先，要对高功率的极紫外光进行激光照射，必须使用具有极高功耗的激光。此过程会产生大量热量，因此也需要出色且完整的冷却和散热。该系统要确保设备的正常运行，以及激发极紫外光以及冷却和散热，都需要消耗大量功率。 2.在光前进到晶片的过程中，它需要穿过十几个镜子以校正光路的方向，并且在每次反射之后，将损失大约30％，最终少于2％的光到达晶片。在此过程中损失的大量能量也将转化为热量，从而带来大量的散热工作，并转化为电能消耗。第三，晶圆厂的生产能力通常很紧张。为了提高生产能力，晶圆厂将进一步增加光源的功率，从而提高曝光速度，从而带来更多的电力。总之，EUV光刻机的功耗问题实质上是从光源激发到晶片生产过程的极低能量转换率。