汽车动力转向（Power Steering）系统设计工程师需要能够提供更高效率和更好动力控制的解决方案。飞兆半导体的40V N沟道PowerTrench MOSFET产品可以帮助设计人员应对这些挑战。 FDB9403使用Fast Semiconductor的掩膜栅极技术来提高电阻并减小电容。该器件的RDS（ON）值比最接近的竞争对手低20％，并且具有较低的Qg值，从而降低了功率损耗并最终提高了整体效率。作为基本的电流控制开关，FDB9403 MOSFET产品有效控制功率而没有任何浪费，因此非常适合于功率控制系统，悬架控制和功率传输管理应用。特点和优点：当VGS ＝ 10V且ID ＝ 80A时，较低的功率损耗RDS（ON）的典型值＝1mΩ，从而实现较高的效率。当VGS = 10V且ID = 80A时，典型值Qg（tot）= 164nC，较低的功耗，从而实现更高效率的UIS能力RoHS和AEC Q101标准FDB9403采用D2PAK TO-263AB封装，价格为2.48美元。 Fast Semiconductor在功率半导体器件和模块封装方面的专业知识，结合广泛的测试，仿真和高质量制造经验，使该公司的产品能够在最苛刻的汽车环境中可靠地工作。 Fast Semiconductor在全球设有设计，制造，组装和测试基地，因此在品质，可靠性和可用性方面，Fast Semiconductor拥有良好的设备，可满足汽车制造商的需求。