[美国德克萨斯州普莱诺，2020年10月27日] Diodes Corporation今天宣布推出符合汽车规格的3.3mm x 3.3mm封装40V双MOSFET。 DMT47M2LDVQ可以代替两个分立的MOSFET，以减少许多汽车产品应用（包括电动座椅控制和高级驾驶员辅助系统（ADAS））中电路板所占用的空间。 “在过去的十年中，汽车中电子部件的数量迅速增加，从而激发了对持续创新的需求。” Diodes Incorporated汽车产品市场经理Ian Moulding表示。 “我们对这一需求的回应扩大了公司作为汽车行业值得信赖的供应商的声誉。” “二极管已经连续六年在这个市场上实现了两位数的增长。”成型继续进行。 “ DMT47M2LDVQ此示例显示了我们如何帮助汽车工业解决其在开发新一代汽车时面临的技术和商业挑战。” DMT47M2LDVQ集成了两个n沟道增强模式MOSFET，当10V的VGS和30.2A的ID仅10.9mΩ时，此配置可实现业界最低的RDS（ON）。凭借如此低的导通电阻，可将产品应用（例如无线充电或电机控制）中的传导损耗降至最低。在10V VGS和20A ID的情况下，典型的栅极电荷为14.0nC，这将交换损耗降至最低。 DMT47M2LDVQ PowerDI＆reg;的高热导率3333-8的结至外壳热阻（Rthjc）为8.43°C / W，与单独封装的MOSFET相比，它可以开发出具有更高功率密度的最终产品应用。这样，可以减少实现汽车功能（例如ADAS等）所需的PCB面积。 DMT47M2LDVQ符合AEC-Q100 1级规范，可以支持PPAP文档，并在通过IATF 16949标准认证的生产工厂中制造。