注射激光
它的主体是正向偏置的p-n结。当电流密度超过阈值时，注入的载流子（电子和空穴）通过p-n结区域中的受激辐射重新结合以产生激光。其工作特性和输出特性受温度影响很大，因此可以使用冷却系统。最早的同质结砷化镓（GaAs）半导体激光器焊接到经处理的砷化镓单晶（p型和n型砷化镓）的上下表面，形成两个谐振腔。端面应平行并抛光，均匀涂层以增加反射。还可以通过使用平行的平坦晶面（自然解理面）直接形成谐振腔。砷化镓在半导体和空气之间的界面处具有约3.6的折射率和大于30％的反射率。因此，它提供光学反馈，以便激光振荡可以产生大约9040的激光波长。
1969年以后开发的砷化镓单异质结和双异质结激光器降低了阈值电流密度（通常约为10 ^ 4） A / cm ^ 2）至每平方厘米数百安培。并且实现了激光在室温下的连续操作。
半导体激光设备可用于雷达，计算机和通信系统，或作为视频和音频记录的来源。它们用于超高分辨率光谱学，集成光学和军事应用。